NMOS管内部结构图如下，导电沟道未形成前，漏极和源极之间有一反向PN结，在Ugs...NMOS管内部结构图如下，导电沟道未形成前，漏极和源极之间有一反向PN结，在Ugs=0时，漏极和源极之间无电流（PN结击穿情况等不考虑）。
栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，...栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，（V GS = +ve），要么处于将器件“关闭”的零电压电平，（V GS = 0V）。
对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON ...对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON 状态下，它可以承载的电流量不应有任何限制。
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致...MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，泄漏电流...
在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit...在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)截止频率
