在很多情况下，电源IC的技术规格书中给出的是在标准的应用电路中测试得到的效率...在很多情况下，电源IC的技术规格书中给出的是在标准的应用电路中测试得到的效率曲线图（效率 vs 输出电流）。如果所使用的电路条件与规格书中的效率曲线的条件相同...
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同...首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。
Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被...Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被广泛采用的TO-247-3L，(b)是近几年渐渐扩大采用的用于驱动电路的源极端子（即所谓的...
图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的...图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑...
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn O...RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的...
