1、V（BR）DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作...1、V（BR）DSS 的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠。但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。
AO4406可用KNE6303A替换 锂电保护板MOS管 30V12A KNE6303A特征 先进的沟槽加...AO4406可用KNE6303A替换 锂电保护板MOS管 30V12A KNE6303A特征 先进的沟槽加工技术 用于超低导通电阻的高密度电池设计 完全表征的雪崩电压和电流
如果说我们的high mosfes和LOW mosfes 同步的时候，会发现有些应用它就叫开关管...如果说我们的high mosfes和LOW mosfes 同步的时候，会发现有些应用它就叫开关管，并没有叫high mosfes和LOW mosfes，也就是高端mos管和低端mos管;那么这种情况的肯...
在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源...在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称...
反相器又称“非”门电路，NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器件也称驱动管；...反相器又称“非”门电路，NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器件也称驱动管；T2的栅极与漏极相联，作为T1漏极的负载电阻，故称负载管。由于使用集成电路制造工艺...
