CMOS集成电路概念：沟道宽长比-KIA MOS管
沟道宽长比介绍
本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。
沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之间的一薄半导体层。是由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。
如下图所示：
MOS管工作在非饱区时，I-V特性曲线公式近似为：
因此，沟道宽长比对MOS管来说是非常重要的一个参数指标。宽长比越大，MOS管的 饱和电流(Idsat)就越大，性能就越好。
在数字后端中，沟道的宽长比也体现在单元库上。当沟道长度L相同时，不同的沟道宽度会造成cell的不同高度，我们通常说的7 Track, 9 Track即是代表不同的沟道宽度，沟道宽度越大，速度也越快，功耗也越大；
当沟道宽度W相同时，不同的沟道长度L也会造成cell的速度不同，我们通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表不同的沟道长度。L越小，速度也越快，功耗也大。
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