KIA35P10A替代CMD5950
KIA35P10A 产品描述
KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术，提供优良的RDS（ON）和栅极。用于各种各样的应用中的电荷。KIA35P10A满足RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证全功能可靠性批准。
KIA35P10A 产品特征
RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V
100% EAS保证
可用绿色设备
超低栅电荷
优良的CDV/DT效应下降
先进的高密度沟槽技术
KIA35P10A参数范围
产品型号：KIA35P10A
工作方式：-35A /-100V
漏源电压：-100V
栅源电压：±20V
漏电流连续：-35A
脉冲漏极电流：-100A
雪崩电流：28A
雪崩能量：345mJ
耗散功率：104W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：-100V
栅极阈值电压：-1.2V
输入电容：4920PF
输出电容：223PF
上升时间：32.2ns
KIA35P10A封装
KIA35P10A规格书
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CMD5950参数概述
CMD5950采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的低门电荷RDS（on），它可用于多种用途。
CMD5950特征
P沟道
低电阻
快速切换100%
雪崩测试
CMD5950参数
漏源电压：-100 V
栅源电压：20V
连续漏电流：-35a
脉冲漏极电流：-105a
雪崩电流：- 35 A
总功耗：50w
储存温度范围：- 55至150
工作结温度范围：150℃
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