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KIA35P10A替代CMD5950规格书 厂家直销-低内阻 雪崩冲击小-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-12-26 

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KIA35P10A替代CMD5950

KIA35P10A 产品描述

KIA35P10A采用先进的沟槽MOSFET技术,提供优良的RDS(ON)和栅极。用于各种各样的应用中的电荷。KIA35P10A满足RoHS和绿色产品要求,100% EAS保证全功能可靠性批准。


KIA35P10A 产品特征

RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V

100% EAS保证

可用绿色设备

超低栅电荷

优良的CDV/DT效应下降

先进的高密度沟槽技术


KIA35P10A参数范围

产品型号:KIA35P10A

工作方式:-35A /-100V

漏源电压:-100V

栅源电压:±20V

漏电流连续:-35A

脉冲漏极电流:-100A

雪崩电流:28A

雪崩能量:345mJ

耗散功率:104W

热电阻:62℃/V

漏源击穿电压:-100V

栅极阈值电压:-1.2V

输入电容:4920PF

输出电容:223PF

上升时间:32.2ns


KIA35P10A封装

KIA35P10A,CMD5950


KIA35P10A规格书

查看详情,请点击下图。

KIA35P10A,CMD5950


CMD5950参数概述

CMD5950采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的低门电荷RDS(on),它可用于多种用途。


CMD5950特征

P沟道

低电阻

快速切换100%

雪崩测试


CMD5950参数

漏源电压:-100 V

栅源电压:20V

连续漏电流:-35a

脉冲漏极电流:-105a

雪崩电流:- 35 A

总功耗:50w

储存温度范围:- 55至150

工作结温度范围:150℃


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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