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高压MOS管 9N90 9A/900V PDF资料及封装-MOS管原厂 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-01-07 

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高压MOS管9N90产品介绍

此功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制,以尽量减少通态电阻,提供卓越的开关性能好,可承受雪崩和换相模式下的高能脉冲适用于高效率开关电源,有功功率因数校正基于半桥拓扑。


高压MOS管9N90参数详情

型号:KIA9N90S/KIA9N90H

工作方式:9A/900V

漏源极电压:900V

排水电流:36A

栅源电压:±30V

单脉冲雪崩能:900MJ

雪崩电流:9.0A

重复雪崩能:28MJ

峰值二极管恢复:4.0V/ns

运行和储存温度范围:-55℃至+150℃


高压MOS管9N90产品特征

9A,900V

RDS(on)=1.12ωVGS=10V

低门电荷(典型的70纳米)

低Crss(典型的14Pf)

快速切换

100%雪崩试验

改进的数字视频传输能力


高压MOS管9N90封装及引脚图

1、KIA9N90S

高压MOS管,9N90,9A/900V


2、KIA9N90H

高压MOS管,9N90,9A/900V


高压MOS管9N90附件

查看详细资料,请点击下图。

1、KIA9N90S

高压MOS管,9N90,9A/900V


2、KIA9N90H

高压MOS管,9N90,9A/900V


KIA封装工艺

高压MOS管,9N90,9A/900V



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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