800V高压MOS管
KIA半导体将推荐一款800V的高压MOS管给大家，下文将会有它的具体参数、封装等详细资料。
KIA半导体也一直执行全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效控制，确保提供给客户的产品是安全可靠的。
800V高压MOS管KIA10N80H
1.800V高压MOS管10N80产品描述
这个功率MOSFET是用起亚公司先进的平面条纹数字多用表（DMOS）技术生产的先进的特别为最小化通态电阻，提供优良的切换性能，并能承受雪崩和整流模式下的高能脉冲。这些器件适用于高效率开关电源，有源功率因数校正，基于半桥拓扑。
2.800V高压MOS管10N80产品特征
RDS（on）=0.85ω@VGS=10V
低栅电荷（典型的63nC）
高韧性
快速交换能力
指定的雪崩能量
改进的dv/dt能力
ESD改善能力
3.800V高压MOS管10N80封装
4.高压MOS管的主要参数
型号：KIA10N80H
工作方式：10A/800V
漏源极电压：800V
栅源电压：±25V
漏电流脉冲:40A
二极管峰值恢复:4.5v/ns
5.800V高压MOS管10N80产品 PDF附件
查看详情，请点击下图有PDF详细资料。
6.封装工艺流程图
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