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高压MOS管7N80H 7A/800V 价格、供应商及参数资料 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-01-08 

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高压MOS管7N80H产品描述

此功率MOSFET是采用SL半高级平面条纹DMOS工艺生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻,提供了优越的性能开关性能好,在雪崩和整流模式下能够承受高能量的脉冲。这些是适用于高效率的开关电源,有功功率因数校正基于半桥拓扑。


高压MOS管7N80H特征详情

RDS(on)=1.4ωVGS=10V

低栅电荷(典型的27Nc)

高韧性

快速切换

100%雪崩试验

改进的dv/dt性能


高压MOS管7N80H封装与引脚图

高压MOS管,7N80H,7A/800V


高压MOS管7N80H主要参数资料

型号:KIA7N80H

工作方式:7A/800V

漏源极电压:800V

栅源电压:±30V

二极管峰值恢复:4.5V/ns

运行和储存温度范围:-55℃至+150℃


高压MOS管7N80H测试电路和波形特征

高压MOS管,7N80H,7A/800V

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高压MOS管7N80H PDF详情

查看详情,请点击下图。

高压MOS管,7N80H,7A/800V



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