低压MOS管 40N06B 38A/60V
低压MOS管 40N06B的产品概述
RDS(on) = 14mωVDS = 60V
高单元密度沟槽技术
超低栅电荷
优异的Cdv/dt效应下降
100%EAS保证
可用的绿色设备
低压MOS管 40N06B 38A/60V应用领域
用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载
点负载同步降压转换器
网络直流供电系统
LCD/LED
低压MOS管 40N06B 38A/60V封装
低压MOS管 40N06B 38A/60V参数详情
型号：KIA40N06B
工作方式：38A/60V
漏源极电压：60V
栅源电压：±20
脉冲漏电流：80A
单脉冲雪崩能量：67MJ
雪崩电流：28A
总功耗：45W
低压MOS管 40N06B电路特征
低压MOS管 40N06B附件
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联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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