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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 现货供应 原装正品-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-07-29 

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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 现货供应 原装正品

FDD8870替代MOS管-KIA2803A

KIA2803A可以替代FDD8870,KIA2803A MOS管是KIA半导体品牌,如您有需要或是想了解更多可以查看KIA官网或是致电KIA,我们将竭诚为您服务!


下面我们一起来看看KIA2803A和FDD8870这两个型号的具体参数、封装、电路特征等。


MOS管 FDD8870替代产品KIA2803A资料详情
(一)MOS管 KIA2803A特征

1、RDS(on)=2.2mΩ(类型)@VGS=10V


2、低导通电阻


3、100%雪崩试验


4、无铅、符合RoHS标准


(二)KIA2803A参数

产品型号:KIA2803A

工作方式:150A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

连续漏电流@VGS=10V,TC=25oC:150A

脉冲漏电流测试TC=25oC:600A

单脉冲雪崩能:625MJ

最大功率消耗TC=25oC:160W

最高温度:175℃

贮存温度范围:-55℃至+175℃


(三)KIA2803A封装图


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(四)MOS管 KIA2803A规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


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MOS管 FDD8870产品资料详情
(一)MOS管 FDD8870产品概述

这种N沟道MOSFET是专门为提高DC/DC变换器的整体效率同步或常规开关PWM控制器。它已经针对低栅电荷、低栅电荷进行了优化。R-DS(开)和快速切换速度。


(二)MOS管 FDD8870特征

rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A

rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A

高性能沟槽技术,极低RDS(开)

低栅电荷

高功率和电流处理能力


(三)FDD8870参数


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(四)MOS管 FDD8870封装引脚功能


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(五)MOS管 FDD8870规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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