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MODFET的基本原理

信息来源:本站 日期:2017-06-30 

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MODFET的基本原理

调制掺杂场效应晶体管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ.MODFET)为异质结构的场效应器件.其他常用到的名称有高电子迁移率晶体管(high electron mobility lran-sistor.HEMT)、二维电子气场效应晶体管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor.TEGFET)

图7,1、6为传统MODFET的透视图.MODFET的特征是栅极下方的异质结结构以及调制掺杂层,对于图7:.16中的器件来说.AIGaAs为一宽禁带半导体,而GaAs则为窄禁带半导体.这两种半导体是被调制掺杂的,也就是说,除了在极窄的区域如中并无掺杂外

AIGaAs是被掺杂的,而GaAs glil未破掺杂.AIGaAs中的电子将扩散到无掺杂的GaAs中.