KIA 半导体 KNX6180B（6180B）MOS 管产品介绍

在电源管理、工业控制、电机驱动等场景中，高性能 MOS 管是保障系统稳定高效运行的核心器件。KIA 半导体（KMOS Semiconductor） 推出的KNX6180B（简称 6180B） 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应管，专为高耐压、高效率应用场景设计，是国产 MOS 管厂家中极具竞争力的优质型号。

一、产品概述

KNX6180B 采用 KIA 专利 F-Cell?高压平面 VDMOS 工艺制造，优化的制程与结构设计让该型号实现了低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲耐受能力，可在雪崩和换流模式下稳定工作，广泛适用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器、H 桥 PWM 电机驱动等场景。

基础核心参数

KIA KNX6180B封装：TO-220F类型：N 沟道高压 MOS 管规格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω用途：开关电源、适配器、充电桩、工业电源、AC-DC 反激电源二、核心规格与关键参数

对标替代

一、国内国产竞品（同参数 800V 10A）

士兰微：SVF10N80F
华润华晶：HJ10N80F
扬杰科技：YJG10N80A
捷捷微：JJW10N80
富满电子：FMV10N80
深爱半导体：SIT10N80
长电科技：CEU10N80
东微半导体：DE10N80
二、台系品牌竞品
富鼎：AP10N80GI
茂迪：MD10N80
尼克森：NCE10N80
泰德：TD10N80
光磊：GL10N80

1. 基础订购信息

型号：KNF6180B（KNX6180B，6180B）

封装：TO-220F

品牌：KIA（KMOS Semiconductor）

2. 绝对最大额定值（Tc=25℃，除非另有说明）

3. 热特性

参数	符号	额定值	单位
结到壳热阻	RθJC	2.02	℃/W
结到环境热阻	RθJA	62.5	℃/W

4. 电气特性（Tc=25℃，除非另有说明）

参数	符号	条件	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	BVDSS	VGS=0V, ID=250uA	-	-	800V
漏源漏电流	IDSS	VDS=800V, VGS=0V	-	1	uA
栅源漏电流	IGSS	VGS=±30V, VDS=0V	-	±100	nA
栅极阈值电压	VGS(TH)	VDS=VGS, ID=250uA	2.0~4.0	-	V
导通电阻	RDS(ON)	VGS=10V, ID=5.0A	0.87	1.05	mΩ
栅极电阻	RG	F=1MHz	16	-	Ω
输入电容	Ciss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	1625	-	pF
输出电容	Coss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	152	-	pF
反向传输电容	Crss	VGS=0V, VDS=25V, F=1.0MHz	6.4	-	pF
开通延迟时间	td(on)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	28	-	nS
上升时间	tr	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	42	-	nS
关断延迟时间	td(off)	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	90	-	nS
下降时间	tf	VDD=400V, RG=25Ω, ID=10A	75	-	nS
总栅极电荷	Qg	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	32	-	nC
栅源电荷	Qgs	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	8.5	-	nC
栅漏（米勒）电荷	Qgd	VDS=640V, VGS=10V, ID=10A	12	-	nC
反向二极管正向电压	VSD	IS=10A, VGS=0V	-	1.4	V
反向恢复时间	trr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	611	-	ns
反向恢复电荷	Qrr	IS=10A, VGS=0V, dIF/dt=100A/us	5.6	-	nC

三、产品核心优势

低导通损耗：典型 RDS (ON) 仅 0.87mΩ（VGS=10V, ID=5.0A），大幅降低导通阶段的功率损耗，提升电源转换效率。

优异开关性能：低栅极电荷（Qg 典型值 32nC）、快速开关时间，适配高频开关电源场景，减少开关损耗。

高耐压与高可靠性：800V 高耐压设计，搭配优异的雪崩能量耐受能力与 dv/dt 鲁棒性，适配工业级高可靠性应用。

封装适配性强：TO-220F 封装散热性能优异，适合大功率场景使用，且引脚定义清晰（1 脚栅极 G、2 脚漏极 D、3 脚源极 S），便于电路设计与焊接。

四、典型应用场景

AC-DC 开关电源、反激电源、LLC 谐振电源

DC-DC 转换器、隔离电源模块

H 桥 PWM 电机驱动、工业电机控制器

充电器、适配器、光伏辅助电源

各类对耐压、效率、可靠性要求较高的功率变换场景

五、关于 KIA 半导体

KIA 半导体（KMOS Semiconductor）是国内专业的 MOS 管厂家，专注功率半导体器件研发与制造，拥有完善的质量管控体系与丰富的产品型号矩阵。KNX6180B 作为其高压 MOS 管代表型号，经过严苛的测试验证，性能稳定、一致性高，可提供样品申请、批量供货与技术支持服务，是工业、消费电子领域的优质 MOS 管供应商。

如需了解 KNX6180B 的详细测试曲线、应用方案或批量采购报价，可直接联系 KIA 半导体原厂获取技术支持。

联系方式：邹先生

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