以下为 KIA 半导体 4360A 系列 N 沟道 MOSFET（4.0A 600V）的完整规格说明，所有内容可直接复制粘贴到网站后台，表格为 HTML 格式，可直接嵌入。
KIA 4360A系列MOS管，凭借优异的性能表现，完美适配三大主流应用场景，经万千客户批量验证，稳定可靠，
口碑出众：
? 高频开关电源场景适配工业控制、5G基站配套电源等高频开关电源，快速开关特性优异，导通损耗低，助力电源产品能效达标，小型化设计更具优势，批量供货稳定，适配每月5000+台的产能需求。
? UPS电源场景适配数据中心、智能制造等关键场景的UPS电源，高可靠性与雪崩耐受能力，确保设备7×24小时不间断稳定运行，无宕机风险，同时大幅降低生产成本，规避进口断供隐患。
? 电子镇流器场景适配工业、商业照明用电子镇流器，解决频闪难题，输出高频稳定电流，提升照明体验；小型化封装适配嵌入式照明、小型灯箱等多种场景，参数一致性高，批量合格率提升至99.5%以上。
国产实力·品质保障，选择KIA 4360A的四大理由品质靠谱：全批次100%参数测试，通过ISO9001、ISO14001认证，符合RoHS环保标准，性能媲美进口，稳定性远超行业平均水平。高性价比：国产原厂直供，
成本可控，无需为品牌溢价买单，用亲民价格享受进口级品质与服务。灵活适配：多封装、全规格覆盖，可根据客户需求提供定制化适配方案，直接替换原有型号，无需额外投入研发成本。服务贴心：现货供应、
快速交期，24小时技术支持，从选型到售后全程跟进，解决合作全流程顾虑。
产品：KNX6180B类型：N 沟道高压 MOSFET规格：800V / 10A / Rds(on)≈1.05Ω封装：TO-220F用途：开关电源、适配器、充电桩、工业电源、AC-DC 反激电源
可完全替代 / 竞品型号
? 国产替代：SVF10N80F、HJ10N80F、YJG10N80A、JJW10N80、FMV10N80、SIT10N80
? 台系竞品：AP10N80GI、MD10N80、NCE10N80、TD10N80
? 进口替代：FQP10N80、SPA10N80C3、STW10N80K5、TK10A80W
4360A 系列是 KIA 半导体推出的4.0A 600V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进工艺制造，具备低导通电阻、快速开关特性，专为高频开关电源、UPS、电子镇流器等场景设计。
低导通电阻：RDS (ON)=1.9Ω(典型值) @ VGS=10V, ID=2A
快速开关性能
100% 雪崩能量测试验证
优化的 dv/dt 抗扰能力
3. 典型应用（Application）
高频开关电源（High frequency switching mode power supply）
不间断电源（UPS, Uninterruptible Power Supply）
电子镇流器（Electronic ballast）
4. 引脚配置（Pin Configuration）
4.1 封装形式
TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
|
引脚号 |
功能 |
|
1 |
Gate（栅极） |
|
2 |
Drain（漏极） |
|
3 |
Source（源极） |
|
4 |
Drain（漏极，部分封装共用散热端） |
| Part Number | Package | Brand |
|---|---|---|
| KND4360A | TO-252 | KIA |
| KNU4360A | TO-251 | KIA |
| KNP4360A | TO-220 | KIA |
| KNF4360A | TO-220F | KIA |
| Parameter | Symbol | TO220 | TO220F | TO251 | TO252 | Units |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Drain-source voltage | VDSS | 600 | 600 | 600 | 600 | V |
| Gate-source voltage | VGSS | ±30 | ±30 | ±30 | ±30 | V |
| Continuous drain current ID | TC=25℃ | 4.0 | 4.0* | 4.0* | 4.0* | A |
| TC=100℃ | 2.78 | 2.78* | 2.78* | 2.78* | A | |
| Pulsed drain current (note1) | IDM | 16 | 16* | 16* | 16* | A |
| Avalanche energy (Single pulse, note2) | EAS | 180 | 180 | 180 | 180 | mJ |
| Peak diode recovery dv/dt (note3) | dv/dt | 4.8 | 4.8 | 4.8 | 4.8 | V/ns |
| Total power dissipation PD | TC=25℃ | 100 | 44.6 | 44.6 | 44.6 | W |
| Derate above 25℃ | 0.8 | 0.357 | 0.357 | 0.357 | W/℃ | |
| Thermal Resistance Junction to Case RθJC | - | 1.25 | 3.75 | 2.8 | 2.8 | ℃/W |
| Storage temperature range | TSTG | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | -55~+150 | ℃ |
*Drain current limited by maximum junction temperature.
7. 电气特性（Electrical Characteristics）
条件：除非另有说明，均在 Tj=25℃下测试
| Parameter | Symbol | Conditions | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Off characteristics | ||||||
| Drain-source breakdown voltage | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | - | - | V |
| Zero gate voltage drain current | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| VDS=480V, TC=125℃ | - | - | 10 | μA | ||
| Gate-body leakage current | Forward IGSS | VGS=30V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
| Reverse IGSS | VGS=-30V, VDS=0V | - | - | -100 | nA | |
| Breakdown voltage temperature coefficient | △BVDSS/△TJ | Reference to 25℃, ID=250μA | - | 0.65 | - | V/℃ |
| On characteristics | ||||||
| Gate threshold voltage (note4) | VGS(TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2.0 | - | 4.0 | V |
| Static drain-source on-resistance | RDS(ON) | VGS=10V, ID=2.0A | - | 1.9 | 2.3 | Ω |
| Forward Transconductance | GFS | VDS=30V, ID=2.0A | - | 5.5 | - | S |
| Dynamic characteristics | ||||||
| Input capacitance | CISS | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 511 | - | pF |
| Output capacitance | COSS | - | 56.6 | - | pF | |
| Reverse transfer capacitance | CRSS | - | 5.55 | - | pF | |
| Switching characteristics | ||||||
| Turn-on delay time | td(ON) | VDD=300V, ID=4.0A, RG=10Ω, VGS=10V | - | 11.3 | - | ns |
| Rise time | tr | - | 14.7 | - | ns | |
| Turn-off delay time | td(OFF) | - | 37.6 | - | ns | |
| Fall time | tf | - | 10.4 | - | ns | |
| Total gate charge | QG | VDD=480V, ID=4.0A, VGS=10V | - | 15.3 | - | nC |
| Gate-source charge | QGS | - | 2.45 | - | nC | |
| Gate-drain charge | QGD | - | 6.56 | - | nC | |
| Drain-source diode characteristics | ||||||
| Drain-source diode forward voltage | VSD | VGS=0V, ISD=4.0A | - | - | 1.4 | V |
| Continuous drain-source current | ISD | - | - | - | 4 | A |
| Pulsed drain-source current | ISM | - | - | - | 16 | A |
| Reverse recovery time | trr | ISD=4.0A, VGS=0V, di/dt=100A/μs | - | 315 | - | ns |
| Reverse recovery charge | QRR | - | 1.83 | - | μC | |
Notes:
1. Repetitive rating: pulse width limited by maximum junction temperature
2. L=10mH, IAS=6.0A, VDD=50V, RG=25Ω, starting TJ=25℃
3. ISD≤4.0A, di/dt≤200A/μs, VDD≤BVDSS, starting TJ=25℃
4. Pulse test: pulse width≤300μs, duty cycle≤2%
8. 测试电路与波形说明
8.1 核心测试电路 栅极电荷测试电路（Gate Charge Test Circuit）：用于测量 QG、QGS、QGD，通过双管电路实现电荷波形采集。
阻性开关测试电路（Resistive Switching Test Circuit）：测量开通 / 关断延迟、上升 / 下降时间，VDD为电源，RL为负载电阻。
非钳位感性开关测试电路（Unclamped Inductive Switching Test Circuit）：用于验证雪崩能量 EAS耐受能力，公式：EAS = 1/2 × L × IAS2 × (BVDSS / (BVDSS - VDD))。
二极管恢复 dv/dt 测试电路（Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit）：用于验证反向恢复过程中的 dv/dt 抗扰能力，包含驱动栅极电路与电流、电压波形采集点。
8.2 典型特性曲线（说明）
输出特性曲线（Output Characteristics）：不同 VGS下，ID随 VDS的变化趋势 转移特性曲线（Transfer Characteristics）：
ID随 VGS的变化关系，含 25℃与 150℃对比 导通电阻与电流 / 栅压关系曲线：RDS(ON)随 ID、VGS的变化
体二极管正向电压曲线：VSD随 ISD与温度的变化 电容特性曲线：CISS、COSS、CRSS随 VDS的变化
栅极电荷特性曲线：VGS随 QG的变化关系 击穿电压 /
导通电阻与温度关系曲线：BVDSS、RDS(ON)随 TJ的变化 最大安全工作区（SOA）曲线：不同脉冲宽度下 ID与 VDS的安全工作边界
连续漏极电流与壳温关系曲线：ID随 TC的下降趋势 瞬态热阻抗曲线：ZθJC随脉冲持续时间的变化关系
联系方式：邹先生
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QQ：2880195519
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