三极管工作状态及电压测量解析-KIA MOS管

三极管的正偏与反偏：

给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。

例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。

NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。NPN是用B一E的电流（IB）控制C一E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。

PNP是用E-B的电流（IB）控制E-C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。

三极管的三种工作状态

1.放大区

发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub〉发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压b。放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。

2.饱和区

发射结正偏、集电结正偏BE、CE两PN结均正偏。即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue，Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub，Uc>Ub。

饱合状态特征是：三极管的电流Ib、Ic都很大，但管压Uce却很小，Uce~0。这时三极管的c、e极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。

饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对储管取0.1V。此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。

3.截止区</p><p>发射结反偏，集电结反偏。由于两个PN结都反偏，使三极管的电流很小，Ib~0，Ic～0，而管压降Uce却很大。这时的三极管c、e极相当于开路，可以看成是一个开关的断开。

三极管三种工作区的电压测量

如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大，截止状态，用电压表测基极与射极间的电压Ube。

饱和状态eb有正偏压约0.65V左右，ce电压接近0V。

放大状态eb有正偏压约0.6V，ce电压大于0.6V小于电源电压。

截止状态eb电压低于0.6V，ce电压等于或接近电源。

在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。

1.截止区

就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。

对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0~0.5V之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。

当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。

2.放大区

当Ube在0.5~0.7V之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。

这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。在维修过程中，测得Ube在0.5~0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态饱和区：

三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。

三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。

当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。三极管在饱和时的Uce称为饱和压降。

当在维修过程中测量到Ube在0.7V左右、而Uce低于0.1V时，就可知道三极管处在饱和状态。

3.饱和区

Ube>Uon且Uce。

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