广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

电源IC的损耗如何进行计算?详解-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2021-08-24 

分享到:

电源IC的损耗如何进行计算?详解-KIA MOS管


电源IC损耗计算

电源IC的功率损耗计算示例(内置MOSFET的同步整流型IC)


图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。


相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外(因为电感是外置的)。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话,是不包括MOSFET和电感损耗的。


电源IC 损耗


要计算损耗时,需要有单独计算时公式各项相应的值。原则上使用技术规格书中给出的值。


一般情况下,技术规格书的标准值(即IC参数的值)中,包括最小值、典型值、最大值。有些参数只有最小值或最大值,或只有典型值,并非所有的参数都具备这三种值。


关于应该使用这些值的哪个值,可能会有不同的看法,但我认为应该考虑到值的变化/波动,计算最差条件下的损耗。


电源IC 损耗


此次将使用右侧给出的值。这些均是以最差条件为前提的值。计算步骤是先按照每种损耗的公式计算各自的损耗,然后再将损耗结果相加。


电源IC 损耗


在本示例中,电源IC的功率损耗约为1W。只要用于计算的数据完整,功率损耗计算并不难。


关键要点:

1.电源IC的功率损耗是单个损耗的总和。


2.关于计算所用的值,虽然有很多种看法,但应该通过计算最差条件下的损耗进行确认。




联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助