晶闸管的内部构造、电路符号图文详解-KIA MOS管
晶闸管简介
晶闸管是在半导体二极管、三极管往后发现的一种新式的大功率半导体器材，它是一种可操控的硅整流元件，亦称可控硅。
晶闸管的外形如图所示，分为螺栓形峻峭板形两种，螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A，它可与散热器固定，另一端的粗引线是阴极K，细线是操控极（又称门极）G，这种构造替换元件很便利，用于十0A以下的元件。
平板形，基地的金属环是操控极G，离操控极远的一面是阳极A，近的一面是阴极K，这种构造散热作用比照好，用于200A以上的元件。
晶闸管是由四层半导体构成的。图（a）、（b）、（c）所示别离为螺栓形晶闸管的内部构造、晶闸管的构造暗示和标明符号。
晶闸管的构造是由四层半导体资料叠成三个PN结，并在对应的半导体资料上引出了三个电极。这三个电极别离称为：A-阳极，G-操控极，K-阴极。
在晶闸管的阳极和阴极之间加正向电压而控制极不加电压时，由于PN结J2为反向偏置，所以晶闸管不导通，即处于阻断状态；而当外加电压极性相反时，由于J1和J3反向偏置，晶闸管仍然阻断。
这两种情况均相当于开关处于断开状态。如果在阳极和阴极之间加正向电压的同时，在控制极与阴极之间也加上一个正向电压，则晶闸管就由阻断变为导通，而且管压降很小，约1V左右，相当于开关处于闭合状态。可见，晶闸管相当于一个可以控制的单方向导电的开关。
从晶闸管的内部构造剖析，能够将晶闸管等效为以如图所示办法相联接的NPN和PNP两个三极管VT1、VT2。设三极管VT1和VT2的拓宽倍数别离为β1、β2。
当A－K间加正向电压时：VT1、VT2正向偏置。若在G－K间施加正向电压，则会在三极管VT1的基极发生初始触发电流。
由于VT2和VT1之间各自的集电极和对方的基极相连， 经VT1拓宽后的电流回到VT2的基极，然后构成剧烈的电流正反响。晶闸管能在几微秒的时刻内完毕导经进程。
当A-K间加反向电压时： VT1、VT2反向偏置，不管G-K端为正或反向电压。晶闸管不能导通。
通过试验验证，可得以下定论：
（1）正常状况下，若操控极不加正向电压，则不管阳极加正向电压仍是反向电压，晶闸管均不导通，这阐明晶闸管具有正、反向阻断才调；
（2）晶闸管的阳极和操控极一同加正向电压时才调使晶闸管导通，这是晶闸管导通有必要一同具有的两个条件；
（3）在晶闸管导通往后，其操控极就失掉操控造用，欲使晶闸管康复阻断状况，有必要把阳极正向电压下降到必定值（或断开，或反向）。
（4）晶闸管导通后，两只三极管丰满导通，阳极与阴极间的管压降为1V分配，而电源电压简直全有些配在负载电阻上。晶闸管的PN结可通过几十安～几千安的电流。晶闸管触发导通的时刻为几微秒。
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