电感的升压、降压原理图文分析-KIA MOS管
电感降压原理
FET为ON时的电路图
在FET为ON的时间里，L积蓄电流能的同时为输出供电。虚线表示的电流路径虽是微小的漏电流，但会使轻负载的效率变差。
FET为OFF时的电路图
在FET为OFF时，L要保持OFF前的电流值，使SBD为ON。此时，由于线圈的左端被强制性地降到0V以下，VOUT的电压下降，即降压电路原理。
由此，FET的ON时间长L里积蓄的电流能越大，越能获得大功率电源，降压的幅度越小。
降压时，由于FET为ON时也要给输出供电，所以不需要限制占空比的最大值。
降压式DC/DC 变换器基本工作原理电路如图所示。VT1为开关管，当VT1导通时，输入电压Vi通过电感L1向负载RL供电，与此同时也向电容 C2充电。在这个过程中，电容C2 及电感L1中储存能量。
当VT1截止时，由储存在电感LI 中的能量继续向RL供电，当输出电压要下降时，电容C2中的能量也向RL放电，维持输出电压不变。二极管VD1为续流二极管，以便构成电路回路。
输出的电压Vo经R1和R2 组成的分压器分压，把输出电压的信号反馈至控制电路，由控制电路来控制开关管的导通及截止时间，使输出电压保持不变。
控制电路和VTI，VDI是一体的都是RT8024
电感升压原理
FET为ON时的电路图
在FET为ON的时间里在L积蓄电流能。虚线表示的电流路径虽是微小的漏电流，但会使轻负载的效率变差。
FET为OFF时的电路图
在FET为OFF时，L 要保持OFF前的电流值，相当于在输入回路增加了一个“电源”。
由于线圈的左端被强制性固定于VIN，因此输出VOUT的电压要大于VIN, 即升压电路原理。由此，FET的ON时间越长(FET的触发占空比D越大)，L里积蓄的电流能越大，越能获得电源功率，于是升压就越高。
但是，FET 的ON时间太长的话，给输出侧供电的时间就极为短暂，FET为ON时的损失也就增大，变换效率变差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超过适宜的占空比D。
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