经典电路：晶体管载波振荡电路图文详解-KIA MOS管
晶体管载波振荡电路
（一）
晶体管载波振荡电路，该振荡电路设计在4.5kHz频率上，可使用低频晶体管，使用高频晶体管对稳定度更有利。
（二）
LC与晶体管振荡电路的输出是发射机的载波信号源，要求它的振荡十分稳定。
一般使用晶振电路，其中Q值可达数万，其频率稳定度可达10-5～10-6。电路如图5-1所示。在图1-1中，晶振JT和C1、C2、C3、VT1构成电容三点式振荡电路，振荡频率为3.579MHz。
电路中的R1、R2、R3决定晶体管的静态工作点，其中R1可以调整。
在对静态工作点设置时，先设定集电极电流ICQ，一般ICQ取0.5～4mA，ICQ太大会引起输出波形失真，产生高次谐波。设晶体管β=60，ICQ=2mA，UEQ=（1/2~1/3）Ucc，则可算出R1，R2，R3。
如按下图所示安装电路，在调试中UBQ=8.3V，UEQ=7.7V。
（三）
所示为小功率发射机的晶体管振荡电路。
它是由载波振荡器VT1和调制放大器VT2及电源供电电路等部分构成的。
vri是载波振荡晶体管，它的基极电路中接有LC并联谐振电路，微调CT可以改变载波信号的频率，振荡信号由VT1的发射极输出，经耦合电容器送往调制放大晶体管VT2的基极。
调制信号经电容器（4.7yF）、电阻器（4.7kfl）和耦合电容器（IOOpF）也加到调制放大晶体管VT2的基极。载波信号和调制信号在VT2中进行幅度调制（AM），然后由集电极输出，从天线上将信号发射出去。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助
