nce6050ka参数,50n06场效应管现货,KIA50N06BD-KIA MOS管
nce6050ka参数
漏源击穿电压（Vdss）：60V
连续漏极电流（Id）：50A
漏源导通电阻（Rds(on)）：典型值小于20mΩ，部分测试条件下可低至13.8mΩ
最大功率耗散（Pd）：85W
栅源极阈值电压（Vgs（th））：2.5V（测试条件ld=250uA）
栅极电荷量（Qg）：50nC
输入电容（Ciss）：2.05nF
nce6050ka采用TO-252封装，广泛应用于电源管理及电机控制领域。
nce6050ka代换,50n06场效应管参数
原厂优质现货KIA50N06BD场效应管是nce6050ka同规格、同封装、可直接替换的型号，具有参数均衡、性价比高、国内货源充足等优势。
KIA50N06BD是一款N沟道功率MOSFET，核心参数为漏源电压60V、连续漏极电流50A，采用TO-252封装，导通电阻10.5mΩ，主要用于电动车控制器、电源、电机驱动、逆变器等应用场景。
KIA50N06BD采用先进的沟槽技术制造，具有低功耗、低内阻，导通损耗小、温升低，低栅极电荷（Qg），开关速度快、效率高；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，在应用中高效稳定可靠；国内原厂稳定供货，通用性强，性价比高，适合消费电子、电源等。
详细参数：
漏源电压：60V
漏极电流：50A
导通电阻：10.5mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：250A
单脉冲雪崩能量：120MJ
功率耗散：88W
阈值电压：3V
总栅极电荷：50nC
输入电容：2060PF
输出电容：755PF
反向传输电容：375PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：13ns
下降时间：7.5ns
nce6050ka代换,50n06场效应管引脚图
nce6050ka代换,50n06场效应管规格书
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