11n40,11n40c参数,400v11a场效应管,KNF6140S批发-KIA MOS管
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11n40,11n40c参数
最大漏源电压：400V
最大连续漏极电流：10.5A
最大导通电阻：0.53Ω（典型值）
11n40采用TO-220或TO-220F封装，用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。
11n40c代换,400v11a场效应管参数
11n40c场效应管参数 1:1 完全匹配，替代首选型号KNF6140S是一款N沟道增强型MOSFET，采用平面条纹和DMOS技术制造，与11n40c参数、封装、特性完全一致，国内优质原厂现货批发，货源稳定。
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，低导通电阻RDS(on)=0.53Ω@10V，中高压下低损耗、高效率；具有低栅极电荷 (Qg)，开关速度快，适合高频电路；100% 雪崩测试，抗冲击能力强，工作稳定可靠；适用于AC-DC 开关电源、适配器、LED 驱动、PFC 电路、电子镇流器、继电器驱动；封装形式：TO-220F，全塑封封装。
详细参数：
漏源电压：400V
漏极电流：11A
导通电阻：0.53Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：44A
单脉冲雪崩能量：365MJ
功率耗散：40.2W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：15.7nC
输入电容：980PF
输出电容：140PF
反向传输电容：2.6PF
开通延迟时间：33.5nS
关断延迟时间：83nS
上升时间：31.5ns
下降时间：56ns
11n40c代换,400v11a场效应管引脚图
11n40c代换,400v11a场效应管规格书
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