常用的IGBT单体缓冲吸收电路分享-KIA MOS管
IGBT单体缓冲吸收电路
RS单体吸收电路
( 1 )抑制关断浪涌电压效果好。
( 2 )最适用于斩波器。
( 3 ) IGBT容量较大时, R1 , R2阻值选取小,开通时增加了IGBT集电极的容性开通电流,损耗增加，IGBT的功能受到限制。
充电RCD单体吸收电路
( 1 )可抑制关断浪涌电压。
( 2 )充放电型RCD缓冲电路由于增加了二极管VDS ,可使R3、 R4增大,避免了IGBT功能受限制。
( 3 )缓冲电路的损耗相当大。
( 4 )因损耗大而不适用于高频开关用途。
放电阻止型单体吸收电路
( 1 )具有较好抑制关断浪涌电压效果。
( 2 )缓冲电路产生的损耗小。
( 3 )最适合于高频开关用途。
C整体吸收电路
( 1 )线路最简单。
( 2 )利用C7旁路浪涌尖峰电压。
( 3 ) C7取值不当,易与主回路电感L S构成谐振而产生振荡。
( 4 ) C7的取值根据能量守恒原理可求取。
RCD整体吸收电路
( 1 )线路相当简单。
( 2 )适用于各种逆变器。
( 3 ) VDS要示正向恢复电压VFM小,反向恢复时间短,软恢复的二_极管,以降低Vcep值。 关断损耗,避免引起振荡。
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