PMOS过压保护电路原理图及分析-KIA MOS管
PMOS过压保护电路
VB:蓄电池电压电源
V18_PTB5: MCU IO口，发出高电平使VB_PMOS电压输出有效，TTL电平
VB_PMOS：经过PMOS保护电压输出
VB_P_PROT：经二极管反向保护的PMOS输出电压
PMOS过压保护电路原理图
电路功能：若控制器中使用loaddump保护电压小于46V的器件，可以使用此电路模块中的方案为这些器件提供过压保护，特别是在load dump情况下。
Pspice仿真分析:模拟的是典型情况下的经过TVS管抑制后的Load dump电压曲线，可以明显看出当VB>36V时，稳压管开始起作用，迅速关闭Q411和PMOS管。
只要过压信号一直存在，PMOS管就会一直保持关断状态，直至VB跌落回36V安全电压以内。
绿色、红色曲线分别对应为VB_P_PROT，VB
稳压管取值:Accuracy为稳压管的精度，VZ 是稳压管在25℃下的标称值，SZ是稳压管的温度系数，△T是温度变化，即T-25℃， Vz’’(max)是最坏情况下的稳压值。
若需要Q410导通，点A电压需要650mV，即使忽略R411上面的电压，点B的电压也要至少有650mV，如果出现最恶劣的工况，D410的稳压值出现41.964V的情况，那么，VB的电压至少也得有42.65V。
这时，某些需要保护的器件可能已经失效，电路无法达到预期效果。所以建议使用36V的稳压管。但是，36V稳压管在低温-40℃时，有可能会提前工作，即35V下就会使Q410动作。
PMOS参数计算
根据计算，
Rth(j-a)*Pmax=Tj(max)-Ta,
Pmax=1.8W
ID(max) 2* Rds(on) =Pmax
ID(max)=10.95A
受PMOS保护的Vbat电源负载电流不能超过10.95A
ISO7637实验验证
i. 试验条件：Us=30V；Ua=27V；Ri=5.5Ohm；Td=350mS；Pload=10w
ii. 试验结果：电路功能状态正常
iii. 试验电路监测点及试验结果波形如下图
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