OCL电路的组成及工作原理分析-KIA MOS管
为了消除基本OCL电路所产生交越失真，应当设置合适的静态工作点，使两只放大晶体三极管均工作在临界导通或微导通状态。能够消除交越失真的OCL电路如图1所示。
图（1）消除交越失真的OCL电路
在上图中，静态时，从+12V经过R5、R6、D1、D2、R7、R8到GND有一个直流电流，它在Q1和Q2管两个基极之间所产生的电压为Ub1b2=UR6+UD1+UD2+UR7，
使Ub1b2略大于Q1管发射结和Q2管发射结开启电压之和，从而使两只管子均处于微导通态，即都有一个微小的基极电流，分别为Ib1和Ib2。调节R6和R7，可使发射极静态电位Vout为0V，即输出电压Vo为0V。
当所加信号Ui按正旋规律变化时，由于二极管D1、D2的动态电阻很小，而且R6和R7的阻值也比较小，因而可以认为Q1管基极电位的变化与Q2管基极电位的近似相等，即Ub1≈Ub2≈Ui。
也就是说，可以认为两管基极之间电位差基本是一个恒定值，两个基极的电位随Ui产生相同变化。
这样，当Ui》2.5V且逐渐增大时Vbe1逐渐变大，Q1的基极电流Ib1随之增大，发射极电流Ie1也必然增大，负载电阻RL上得到正方向的电流；与此同时，Ui的增大使Veb2减小，当减小到一定数值时，Q2管截至。
同样道理，当Vi《2.5v且逐渐减小时， Veb2逐渐增大，Q2的基极电流Ib2随之增大，发射极电流Ie2必然也会增大，负载电阻RL上得到负方向的电流；与此同时，Ui的减小，使Vbe1减小，当减小到一定数值时，Q1管截至。
这样，即使Ui很小，总能保证至少有一个晶体三极管导通，因此消除了交越失真。Q1和Q2管在Ui的作用下，其输入特性的中的图解分析如下图所示：
图（1.1） 输入特性的中的图解分析
Q1和Q2静态工作点以下，输入信号越大到越小，到Q1截至，Ui无信号，Q1又回到了静态工作点电流。
输入信号越小到越大，到Q2截至，Ui很小的时候（无信号），Q2又回到了静态工作点电流。
综上所述，输入信号的正半周主要是Q1管发射极驱动负载，负半周主要是Q2管发射极驱动负载，而且两管的导通时间都比输入信号的半个周期要长，即在输入电压很小的时候，两只管子同时导通，因而他们工作在甲乙类状态。
值得注意的是，若静态工作点失调，例如R6、D1、D2、R7中的任意一个元器件虚焊，
则从12V经过R5、Q1管的发射结，R9R10，Q2的发射结到R8到GND形成一条通路，有较大的基极电流Ib1和Ib2流过，从而导致Q1和Q2有很大的集电极电流Ic1和Ic2，
且每只管子的最大管压降VCE都约等于12V，以至于Q1和Q2管可能因为功耗过大而损坏。因此，R9和R10的作用就非常重要了，可以分担Q1Q2 的VCE的压降。
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