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半导体MOSFET和MESFET有什么区别,基本原理是什么?

信息来源:本站 日期:2017-07-27 

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  MESFET并不是MOSFET的笔误,而是另一种功率JFET,它是“Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor”的缩写,大致含义是“金属—半导体场效应管”。

   MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求,MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构(图1.24)。就PN结的特性而言,与肖特基二极管并无本质上的区别。众所周知,肖特基势垒的基本结构就是“Metal-Semiconductor”(金属-半导体),MESFET也是由此得名。虽然都是横向沟道,但是MESFET的沟道更短。

   MESFET的肖特基势垒栅极通常采用的材料为GaAs(Gallium  Arsenide,砷化镓),新一代半导体材料InP(Indium Phosphide,磷化铟)和SiC( SiliconCarbide,碳化硅)也开始有应用。

   从工作模式来看,MESFET也有增强型与耗尽型之分,这一点与MOSFET是相近的,其实,它的肖特基势垒栅极与MOS栅极也是有相似之处的。

   MESFET主要作为功率微波器件用在“固态”发射机上,工作频率可达45GHz以上,比JFET和MOSFET都要高。