广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

IGBT过压保护措施的两种方法分享-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2022-04-19 

分享到:

IGBT过压保护措施的两种方法分享-KIA MOS管


通常情况下,我们可以通过优化母排杂散电感或增加吸收电路减小IGBT的关断电压尖峰。然而这两种方法都是减小电压尖峰的措施而不是保护方法,面向的也是IGBT正常工况。


当IGBT发生过流或短路时,产生的关断电压尖峰会比正常情况高很多,这时一定要采取保护措施,不然器件很有可能会因为过电压而损坏。目前IGBT的关断电压尖峰保护措施主要有软关断和有源钳位两种方法。今天我们就来聊一下这两种方法的利与弊。


首先看一下有源钳位技术:

有源钳位电路通过在IGBT的集电极和栅极之间串联一定数量的瞬态电压抑制二极管(TVS),当电压超过TVS的钳位电压时,会向门极注入一定的电流。如果这个时候IGBT正在关断,那注入的电流会使IGBT关断速度变缓,di/dt会减小,从而集电极电压也会减小,最基本的有源钳位电路如图1所示。


IGBT过压保护 软关断 有源钳位

图1 基本有源钳位电路


几个关键点强调一下:

①:有源钳位是一个闭环系统,只要超过了有源钳位TVS的动作点,电路就会工作。所以无论是正常工况,还是过流、短路情况,只要IGBT关断电压尖峰超过了TVS钳位电压值,有源钳位电路就会工作,这是有源钳位电路的一个优势。


②:对于图1所示的基本有源钳位电路,当有源钳位电路动作时,流过TVS的电流是很大的(大部分电流都会通过Rg经过推挽电路的下管流向了-15V),所以如果TVS频繁动作,TVS的损耗会很大,有可能IGBT没有问题,TVS就挂掉了。当然,Concept对基本有源钳位技术进行了改进,如图2所示,让大部分TVS的电流都流向门极。


IGBT过压保护 软关断 有源钳位

图2 Concept高级有源钳位电路


但是对于我们自己设计的驱动电路,很难做到这一点,所以在应用时尽量还是不让TVS动作,或者每个输出电流周期只动作几次。


③:有源钳位的另外一个问题:降低了IGBT的静态阻断电压。例如1700V IGBT有源钳位动作点一般设在1350V左右;1200V的IGBT有源钳位动作点在900V左右。当IGBT处于关断状态时,如果母线电压上升到有源钳位动作点时,TVS就会被击穿,IGBT就会被打开,后面的事情就不敢想象了。针对该问题Concept也给出了解决方案,如图3所示。


IGBT过压保护 软关断 有源钳位

图3. 动态有源钳位电路


这种方案目前也主要针对3.3kV以上的IGBT,对于1.7kV及以下IGBT,如果采用这种方案,成本就有点高了。


让我们再来看看软关断技术:

IGBT软关断是相对于硬关断来定义的,硬关断指的就是IGBT的常规的关断过程,由于电阻小,关断速度快,因此损耗也比较小,但是会承受一定的电压尖峰应力。而软关断就是采用一个相对较大的电阻缓慢地给栅射之间的电容Cge放电,从而降低IGBT的关断速度,避免产生过电压。


由于软关断产生的关断损耗非常大,因此只有短路的时候才会触发软关断,而正常情况下还是会采用硬开关。图4为Avago公司的驱动光耦ACPL-339J推荐电路,推荐的软关断电阻为330Ω。


IGBT过压保护 软关断 有源钳位

图4. ACPL-339J推荐电路


有些小伙伴会问,软关断只有在IGBT短路的时才会触发。那IGBT发生过流时会怎样呢?那只有硬抗了。需要强调的是:不单单要测试过流保护起不起作用,更重要的还要关注IGBT过流关断时的电压尖峰有没有超额定值。


图5展示了IGBT发生过流或短路时的关断策略。硬件过流检测实时性高,因此只要保证硬件过流时关断IGBT,尖峰不会超额定值,那就没问题。如果你的系统没有硬件过流保护,只有软件过流保护,那就好要好好评估器件的过压情况了。例如:软件的响应时间,滤波时间,从检测过流到封波时间,这个时候电流会升高到什么程度等等。


IGBT过压保护 软关断 有源钳位


的小伙伴可能会问,这篇文章主要针对的是IGBT的关断电压尖峰,那母线过电压怎么办呢?直流母线由于电容的存在,是一个很大的惯性环节,波动不会太严重。


如果由于能量回馈或其它原因(例如,三电平中点电位不平衡),导致的母线过电压,驱动是没有办法保护的(图3所示电路也只能在一定程度上提高TVS动作的阈值)。这种情况,控制板一般也会有硬件或软件过压保护。


总结:

1. 如果IGBT驱动电路集成了有源钳位,那软关断意义就不大了,可以省去;


2. 如果IGBT驱动只有软关断电路,那控制板最好有硬件过流保护,并且保证IGBT发生过流时的关断电压尖峰不会超器件的额定值;


3. 有源钳位电路是可以频繁动作的,前提是一定要评估IGBT和TVS的损耗在允许范围之内,但实际为了可靠,还是尽量不让其动作,或者只在每个电流周期的峰值动作几次;


4. 任何一种技术都有利有弊,大家要学会根据自己的系统去平衡各种因素,这样才能设计出性价比更高的产品。




联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。