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双栅mos管场效应管及基本特征

信息来源:本站 日期:2017-07-27 

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DGMOSFET(Dual gate MOSFET,双栅极MOSFET)是一种有两个栅极的四端器件,两个MOS管栅极都可以对沟道进行控制,目的是为了控制的便利性与独立性,尤其是有两个控制量的时候,就像一个水池装两个水龙头,可以更加方便地控制流量。

双栅极MOSFET大都是小功率产品,主要用于无线电接收机的混频级,两个栅极分别进行增益控制(高频放大)和混频(本振输入)或者变频(频率变换)。

因为有两个栅极,普通MSOFET的沟道长度就显得有些短,FinFET(双翼栅FET)就是专门针对双栅极MOSFET而设计了比较长的沟道(图1.27)。

为了进一步减少两个栅极之间相互的干扰,PSDG(Planar Split Dual Gate,平面分离栅)MOSFET成运而生,在加长沟道的基础上,两个栅极之间增加厂隔离区(带),很像两个共用源极和漏极的MOSFET。

因此,虽然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在概念和具体工艺结构上均有区别,不过在工程实践上,区别并不大,新型产品以PSDG MOSFET居多。在概念范畴上,DGMOSFET可以视为FinFET、PSDG MOSFET的统称:,



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