用三极管直接驱动MOS？需注意这些-KIA MOS管
用三极管直接驱动MOS可以吗?可以直接驱动。
由于MOS场效应管是一种电压驱动器件，要想使其充分导通，要求其栅极驱动电压的幅度要足够大，而一些低压IC电路（譬如3.3V供电的单片机电路）输出幅度较小，直接用来驱动MOS场效应管，根本无法使管子完全导通。
为解决此问题，常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管，其电路如下图所示。
上图中，VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。
为了能驱动MOS场效应管导通，电路中加了一级三极管电路，当VT1基极为5V高电平时，VT1导通，VT2截止；当VT1基极为低电平0V时，VT1截止，其集电极的10V电压（Rc上的压降几乎为零，可以忽略不计）直接加至VT2的G极（即栅极），这样便可以使VT2获得足够的栅极电压而导通。
在用三极管驱动MOS场效应管时，需要注意MOS场效应管栅极所接电阻（即上图中的Rc）的取值。
若MOS场效应管的开关速度很低，此时Rc可以选用上百KΩ的电阻，这样可以减小驱动电路的耗电。
若MOS场效应管工作于高速开关状态，此时Rc不宜取值过大，否则MOS场效应管栅源电容充放电的时间较长，会影响MOS场效应管的开关速度，此时Rc一般选用几KΩ的电阻。
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