MOS管开通关断：LC振荡电路及寄生参数-KIA MOS管
LC振荡电路
如图是最简单的LC震荡电路，其中Ui=1V，L=1H，C=1F，根据拉普拉斯变换易得电容电压和输入电压的关系，Uc/Ui=1/（LCs2+1），将Ui=1/s代入有Uc(s)=1/(LCs3+s）,因式分解可得Uc(s)=1/s-s/(s2+1/LC)，反变换可得Uc(t)=1-cost，由此可以知道Uc的角频率ω为1/√LC，并且带了大小为Ui/Zr的直流偏置，其中Zr为LC电路的特征阻抗，Zr=√L/C；此时Uc的ω就是无阻尼震荡角频率 ωn。
RLC振荡电路
根据拉普拉斯变换可得Uc/Ui=1/（LCs2+CRs+1）,可知无阻尼震荡角频率ωn=1/√LC，ζ=R/2·√(L/C)，可以看出阻尼比是一个表示对信号振荡阻碍的参数，在LC电路中R=0，对振荡无阻碍，因此输出为等幅振荡，在加入了R之后，输出波形逐渐变为减幅振荡，对于电容电压有Uc(t)=Ui-(Ui-Uc(0))coswt+IL(0)Zr·sinwt，可以理解为电容电压初值只改变正弦分量幅值而不改变直流偏置，求导可得电感电流其中Zr=√(L/C)
由此可知阻尼比足够大时，可以使波形不发生振荡和超调。
MOS管各寄生电容参数分析
首先我们可以知道MOS管高频下的模型如下图所示，其中Rg是驱动电路后加的，之后会有说明，Lg是栅极寄生电感，Cgd、Cds和Cgs分别为极间寄生电容。
看各种型号的MOSFET可知各寄生电容的参数，其中Ciss为输入电容，Ciss=Cgs+Cgd；Coss为输出电容，Coss=Cds+Cgd；Crss为反馈电容。Crss=Cgd，而且这三个寄生参数主要与Vds有关。
如何理解输入电容、输出电容和反馈电容呢？
我们都知道GS是MOS管输入端，DS是MOS管输入端，当计算输入电容时，将输出Uds置0，此时DS两点短接，GS两点看进去可以得到Ciss=Cgs//Cgd=Cgs+Cgd，同理可得Coss=Cds//Cgd=Cds+Cgd，Cgd连接着输入端和输出端，类似于反馈电路里的反馈通路，因此是反馈电容。
MOS管开通关断分析
当gs两端接上开通电压，如果没有电阻Rg，会产生很强的振荡，因此必须增加栅极电阻Rg消除这种振荡，但是电阻也不宜过大，过大的电阻会使开通时间过慢，开关损耗增加，因此需要统筹兼顾来选择Rg的阻值。
例如:求MOS栅极驱动功率 P，假设开关频率f=10kHz，Qgs=28nC，驱动电路输出电压为U+=15V，
U-=-9V，所以输出功率P=（∫U+·i(t)dt+∫U-·i(t)dt）/Ts，其中第一个积分时间为0到DTs，第二个积分时间是DTs到Ts，但是电容的充电电荷是相同的，所以P=（U+·Q+U-·Q）/Ts=△UQf
当驱动正压时，通过Rgon和Lg给Cgs充电，假设输入正压Ui=15V，Rgon=20Ω，Lg=10nH，Cgs有手册可知≈5.1nF，仿真结果如下图所示
此时Vgs电压无超调，在0.5us时完成开通，**Rgon就是用来调节开关速度，防止LC谐振，**对于50kHz的开关频率，一个周期也就是20us，因此符合要求，当然我们这是在理想情况下的仿真，未考虑到密勒平台等开关特性，但也可以定性完成分析。
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