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电源应用优质MOS管KNX62150A替代STW21N150-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-03-15 

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电源应用优质MOS管KNX62150A替代STW21N150-KIA MOS管


MOSFET在新能源电动车中的应用

MOSFET具备控制功率小、开关速度快的特点,广泛应用于低中高压的电路中,是功率半导体的基础器件。在如今兴起的新能源电动车中,硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制,都离不开MOSFET。


其实在进入新能源汽车时代前,MOSFET已应用于燃油车中涉及电动功能的区域,而在传统的燃油车中辅助刹车、助力转向和座椅等控制系统,单车用量约100个。


随汽车电动化开启,MOSFET需求激增。新能源汽车以电制动的方式使得中高压MOEFET作为DC-DC、OBC等电源重要组成部分应用于汽车动力域以完成电能的转换与传输,单车用量提升至200个以上;此外,随着汽车智能化发展,ADAS、安全、信息娱乐等功能需MOSFET作为电能转换的基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现,使得中高端车型单车用量可增至400个以上。


汽车智能化是中低压MOSFET器件的增量空间,汽车电动化是超结MOSFET等中高压器件的发力方向,这两类都是可易亚半导体生产经营多年的产品。下面介绍一款可应用于新能源汽车电机上的MOS管KNX62150A,可替代ST(意法半导体)STW21N150。


KNX62150A--兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管,实现更环保、更安全的电源应用,并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。


KNX62150A 1500V 11A超结MOSFET瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率,同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素,电焊、工厂自动化等工业自动化应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高,超结MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。


单位面积同态电阻(Rds(on))和栅电荷量(Qg)均创市场最低,并拥有业界最佳的FoM(质量因数)。是时下主流电源拓扑的理想选择,包括标准准谐振(quasi-resonant)有源钳位反激式转换器以及LLC 半桥式转换器,均需要宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。其最大漏源电流达到12A,通态电阻仅为2.4Ω。


KNX62150A 1500V 11A产品特征

符合RoHS

RDS(开启),典型值=2.4Ω@VGS=10V

低栅极电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管


KNX62150A 1500V 11A产品应用

高压电源

电容器放电

脉冲电路


KNX62150A 1500V 11A封装

KNX62150A 1500V


KNX62150A 1500V 11A参数

KNX62150A 1500V

KNX62150A 1500V

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