广东可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

应用领域

LDO电源抑制比的作用及影响因素详解-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2023-07-10 

分享到:

LDO电源抑制比的作用及影响因素详解-KIA MOS管


在电子产品设计中,低压差线性稳压器(LDO)是最常用的电源芯片之一,经常用在开关电源的后级。LDO 可以衰减开关电源产生的纹波,而衰减开关电源纹波的主要参数就是 LDO 电源抑制比--PSRR。


什么是 LDO 的 PSRR?

PSRR 是 LDO 的主要参数之一,在各厂商 LDO 的数据手册中都可以找到这一参数,PSRR 规定了在某个频率下叠加的交流信号从 LDO 输入到输出的衰减程度。PSRR 的为:

LDO 电源抑制比 PSRR

该公式的含义是衰减越高,PSRR 值就越高。(注意:有些供应商会使用负号来表示衰减)

接下来看一下如何使用 PSRR 参数来减小开关电源的纹波。


LDO PSRR 的作用及如何确定

如图 1 所示,是电子产品中常见的电源拓扑结构——开关电源 + LDO,开关电源(Buck 电路)将 12V 输入电源降压为 4.3V,纹波达到±50mV;LDO(TPS717)则进一步调节输出电压为 3.3V。LDO 的 PSRR 将决定 3.3V 输出电压的纹波。

LDO 电源抑制比 PSRR

图 1 使用 LDO 来过滤开关噪声


根据 LDO PSRR 的定义,为了确定输出纹波的衰减程度,首先要确定开关电源输出纹波的频率。假设这个例子频率为 1MHz,需查看 LDO 的 PSRR-频率曲线,如图 2 所示。

LDO 电源抑制比 PSRR

图 2 VIN – VOUT = 1V 时,TPS717 的 PSRR 曲线


在下列条件下,1MHz 时的 PSRR 指定为 45dB:

IOUT = 150mA

VIN – VOUT = 1V

COUT = 1μF

在这种情况下,45dB 相当于 178 的衰减系数,可以计算出 LDO 输入端的±50mV 纹波在输出端被压缩至±281μV。


影响 LDO PSRR 的因素

VIN – VOUT 对 LDO PSRR 的影响

假设将 VIN – VOUT 降至 250mV,这时需要查看图 3 中的曲线。

LDO 电源抑制比 PSRR

图 3 VIN – VOUT = 0.25V 时,TPS717 的 PSRR 曲线


可以看到,在其他条件保持不变的情况下,1MHz 时的 PSRR 降至 23dB,也就是衰减系数为 14。这是由于 LDO 内部的 CMOS 元件进入线性区域,也就是说,随着 VIN – VOUT 接近 LDO 的内部压差,PSRR 开始下降。


LDO 内部压差,是指 LDO 的内阻与输出电流的乘积(当然还有其他影响因素),降低内部压差有助于提高 LDO 的 PSRR,进一步来说,减小输出电流有助于提高 LDO 的 PSRR。

改变输出电容也会影响 LDO 的 PSRR。


其他影响因素

通过调整 VIN – VOUT 和输出电容,就可以改善特定应用的 PSRR。除此之外,还有其他的影响因素。

LDO 电源抑制比 PSRR

表中“+”代表正向影响程度。



联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供  MOS管  技术帮助

免责声明:本网站部分文章或图片来源其它出处,如有侵权,请联系删除。