650V超结MOS场效应管KCX6265A TO-220F供应商-KIA MOS管
650V超结KCX6265A-描述
超结MOS管KCX6265A是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率。
650V超结KCX6265A-特点
RDS(on)=0.33Ω(typ.)@VGS=10V
低栅极电荷（典型22nC）
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
650V超结KCX6265A-参数
漏源电压：650V
栅源电压:±30V
漏电流脉冲：44A
单脉冲雪崩能量:250MJ
雪崩电流：11A
峰值二极管恢复dv/dt：15V/ns
操作和储存温度范围：-55℃至150℃
漏源击穿电压：650V
栅极电阻:5.2Ω
输入电容：632pF
输出电容：37pF
反向转移电容：2.3pF
650V超结KCX6265A-封装图
KCX6265A 11A/ 650V TO-220F
650V超结KCX6265A-电路特征
650V超结KCX6265A-规格书
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