共基放大电路特性的仿真分析图解-KIA MOS管

共基放大电路如图所示，观察其直流通路，可以看出与分压式共射放大电路一致，两者有相同的静态工作点。

信号源采用有效值 20mV、频率为 1MHz 的正弦信号（其目的是在共基放大电路的中频段进行测试），信号源内阻 RS 取值 20Ω（与共基放大电路的输入电阻匹配以利于获取输入信号）。

共基放大电路仿真

图共基放大电路的输出波形

分别读取信号源经内阻后的输入信号的峰峰值，输出信号的峰峰值，并做比值，即可得到放大电路的放大倍数：

Au = Uop-p/Uip-p = 2.76V/20mV = 138

在放大电路各器件的参数一致的情况下，放大倍数与参考的文章略有差异，可能是仿真模型和仿真工具的差异。

当断开负载电阻 RL（即空载）时的电压放大倍数（仿真图略）：

Au = Uop-p/Uip-p = 260

可见，当负载电阻 RL 与集电极负载电阻 RC 相等时，负载后放大倍数约下降了一半，说明共基放大电路的负载能力不强，这是由于共基放大电路输出电阻（Ro ≈ Rc）较大造成的。

在示波器上还可以看出，输入信号的正向峰值对应输出信号的正向峰值，说明在中频段共基放大电路输入与输出信号的极性相同。

若信号源内阻 RS 增加到 200Ω，输入和输出信号将大幅度下降，说明共基放大电路对电压信号的获取能力很弱，这是由于其输入电阻（Ri ≈ rbe/(1 + β) // Re）很低造成的。

共基放大电路仿真

图共基放大电路的波特图

图为共基放大电路 AC. Analysis（交流小信号分析）。移动光标测量纵坐标的最大值（即中频放大倍数 AUM＝ 42.5550）处，再将 T1 和 T2 分别向低频和高频方向移动到纵坐标约为 0.707AUM（＝ 30.086）处，分别测得下限 fL ＝ 41.39Hz 和上限截止频率 fH ＝ 9.75MHz。

从以上的仿真结果可以看出，参数基本一致的共射和共基放大电路，电压放大倍数相当，但是共基放大电路的上限截止频率比共射高很多。说明共基放大电路的高频特性好，这也是共基放大电路常用于高频振荡电路中的原因。

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