7n80场效应管参数，7n80场效应管代换-KIA MOS管
7n80场效应管参数资料
7n80功率MOSFET是使用先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进的技术经过专门定制，可最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
7n80场效应管参数-特性
RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V
栅极电荷低(典型为27nC)
高坚固性
快速切换
100%雪崩测试
改进的DV/DT功能
7n80场效应管参数
产品型号：KIA7N80
工作方式：7A/800V
漏源电压：800V
栅源电压：±30V
漏电流连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：800V
温度系数：1V/℃
栅极阈值电压：3.0V
输入电容：1300 PF
输出电容：120 PF
上升时间：100 ns
封装形式：TO-220、TO-220F
7n80场效应管-封装图
7n80场效应管参数规格书
高压800V MOS管KIA7N80H资料PDF下载
KIA7N80H
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