n沟道mos管和p沟道mos管-KIA MOS管

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

n沟道mos管和p沟道mos管结构

上图对比可知，对于P型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与漏极相连，阴极与源极相连；而对于N型MOSFET，其寄生体二极管的阳极与源极相连，阴极与漏极相连。

P型MOSFET和N型MOSFET的体二极管的阴阳极连接刚好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，虽然从外观上无法区分，但是用万用表测试其寄生体二极管的阴阳极与漏源极的连接关系，便可区分开来。

另外一种区分MOSFET是P型还是N型的方法是看开通该MOSFET，门极对源极是需要正电平还是负电平。

对于N型MOSFET，若要将其开通，需要门极对源极（VGS）加一个正电压（该电压需要高于该MOSFET的门限电压），例如+10V。而对于P型MOSFET，如要将其开通，需要门极对源极(VGS)加一个负电压（该负电压需要低于该MOSFET的门限电压），例如-10V。

MOS管的N沟道与P沟道之间的关系

纯半导体的导电性能很差，但是可以通过加入一些特殊的杂质增强其导电能力。N型MOSFET会引入额外可移动的负电荷（电子），此时为N型（N沟道）参杂，在N型MOSFET中电子为多数载流子，空穴为少数载流子。P型MOSFET在半导体中产生带正电荷的空穴，此时为P型（P沟道）参杂，在P型MOSFET中空穴为多数载流子，电子为少数载流子。

n沟道mos管和p沟道mos管工作原理

仅含有一个P--N结的二极管工作过程，如下图所示，我们知道在二极管加上正向电压时（P端接正极，N端接负极），二极管导通，其PN结有电流通过，这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。

同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

对于N沟道场效应管（见图1），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态（图1a），当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极时（见图1b），

由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图1b），

从而形成电流，使源极和漏极导通，我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭建了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

图2给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似。

n沟道mos管和p沟道mos管区别

1、从外形上看：

p沟道的mos管比同规格的n沟道的要粗一些；

2、从导电性能看：

p沟道和n沟道相比，前者要比后者的电阻低一些（当然这只是一个方面）。

3、从耐温性看：

一般来说，相同规格下同等材质的情况下（如都是硅片），p沟道的耐高温能力要强于n型。

4、从稳定性上比较：

由于工艺的不同导致两者之间的差异较大；

5、从价格上分析：

由于制作工艺不同、原材料的不同以及成本等因素的影响使得两者的价格相差较大。

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