芯片结温分析,芯片结温计算、公式-KIA MOS管
芯片结温(Tj)：
结温(Junction Temperature)是芯片中开关MOS管等器件的实际工作温度。芯片内部是由于一堆材料做成的各种微小的元器件，有微小的MOS，二极管，集成电阻，电容等等，它们在经过电流时，也会发热，尤其在一些过大电流的功率芯片的应用中，结温就成了一个必须考虑的参数，超过了就会使这些内部元器件损坏，由于这些内部的结构器件距离芯片外部还有封装隔离，因此它通常高于外壳温度(Case Temperature)高。也就是会高于芯片标定的工作温度。
结温产生机制
结温主要产生在PN结区域。
从PN结制造工艺上，核心原理是根据杂质补偿，通过掺杂获得,如下图， P-type 掺杂和 N-type 掺杂接触后，中间形成一个耗尽区（或者称为空间电荷区，如下图右上）；两个的交接线周围形成一个PN结（如下图左上）。
首先，电子空穴的复合也是一个发热是结温的主要热源；复合遵循能量守恒原则，电子和空穴复合时应释放一定的能量，最后在内部都转换为热能。
复合频率越高产生热越高，随之会加速载流子速率μ，电场E相对不变，复合率和结温形成闭合正反馈，导致结温持续升高。
其次，PN结的工艺也不可能极端完美，电子/空穴的的注入效率达不到100％, 即在工作时除P区向N区注入电荷（Hole）外，N区也会向P区注入电荷（Electron）；同样也会导致结温升高。
最后，器件两端的阴极Cathode，阴极Athode 2个的欧姆接触（ohmic contact）会产生热量，两端形成热屏障，阻碍内部的热量更难及时通过热传导方式消散，同样会导致内部结温升高。
所以如果希望保证器件工作正常，务必保证芯片结温在可承受范围内。
芯片结温计算
热阻参数介绍
RθJA 值越大，表示此 封装的散热效率越低，而值越小，表示器件散热效率越高。 封装尺寸越小，RθJA 值通常越大。如上图DCK(SCK70)热阻307.6°C/W，意味着芯片每消耗1W，芯片温度就会升高 307.6°C 。
表中建议的芯片工作结温介于 -55°C 至 150°C 之间。
结温计算公式：
其中 TJ 为结温，TA 为环境温度，RθJA 为热阻（取自数据表），PD 为功耗，Iground 为接地电流（取自数据表）。
下面给出一个简单示例，使用 TPS732 将 5.5V 电压下调至 3V，输出电流为 250mA，采用 SOT-23 和 SOT-223 两种封装。
PD=[(5.5V-3V) x 250mA] + (5.5V x 0.95mA) = 0.63W
SOT - 23: TJ = 25°C + (205.9°C/W x 0.63W) = 154.72°C
SOT - 223: TJ = 25°C + (53.1°C/W x 0.63W) = 58.45°C
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