电容q值是什么？电容q值公式-KIA MOS管
电容q值详解
电容的Q值（或称为电荷量）是指电容器中存储的电荷量。电容器存储的电荷量与电容器的电容量C和电压V有关，可以用以下公式来表示：Q=C?V 其中，Q表示电荷量，C表示电容量，V表示电压。
这个公式的意义是，电容器的电荷量与电容量成正比，电压成比例。可以理解为，电容器的电荷量取决于两个因素：其本身的电容量和所施加的电压。
如果电容量较大，电容器能存储的电荷量就越多；如果电压较高，电容器中存储的电荷量也会随之增加。需要注意的是，电容器内的电荷量可以随着时间的变化而变化，具体取决于电路中的电流。当电容器接入电路中后，电荷量会随着时间的推移而增加或减少，直到达到稳态。
电容的基本原理
电容的功能就是以电场能的形式储存电能量。以平行板电容器为例，简单介绍下电容的基本原理。
上图所示，在两块距离较近、相互平行的金属平板上(平板之间为电介质)加载一个直流电压；稳定后，与电压正极相连的金属平板将呈现一定量的正电荷，而与电压负极相连的金属平板将呈现相等量的负电荷；这样，两个金属平板之间就会形成一个静电场，所以电容是以电场能的形式储存电能量，储存的电荷量为Q。
电容储存的电荷量Q与电压U和自身属性(也就是电容值C)有关，也就是Q=U*C。根据理论推导，平行板电容器的电容公式如下：
理想电容内部是介质(Dielectric)，没有自由电荷，不可能产生电荷移动也就是电流，那么理想电容是如何通交流的呢？
通交流
电压可以在电容内部形成一个电场，而交流电压就会产生交变电场。根据麦克斯韦方程组中的全电流定律：
即电流或变化的电场都可以产生磁场，麦克斯韦将ε(?E/?t)定义为位移电流，是一个等效电流，代表着电场的变化。(这里电流代表电流密度，即J)
设交流电压为正弦变化，即：
实际位移电流等于电流密度乘以面积：
所以电容的容抗为1/ωC，频率很高时，电容容抗会很小，也就是通高频。
电容在通交流的时候，内部的电场和磁场在相互转换。
隔直流
直流电压不随时间变化，位移电流ε(?E/?t)为0，直流分量无法通过。
实际电容等效模型
实际电容的特性都是非理想的，有一些寄生效应；因此，需要用一个较为复杂的模型来表示实际电容，常用的等效模型如下：
由于介质都不是绝对绝缘的，都存在着一定的导电能力；因此，任何电容都存在着漏电流，以等效电阻Rleak表示；
电容器的导线、电极具有一定的电阻率，电介质存在一定的介电损耗；这些损耗统一以等效串联电阻ESR表示；
电容器的导线存在着一定的电感，在高频时影响较大，以等效串联电感ESL表示；
另外，任何介质都存在着一定电滞现象，就是电容在快速放电后，突然断开电压，电容会恢复部分电荷量，以一个串联RC电路表示。
大多数时候，主要关注电容的ESR和ESL。
品质因数(Quality Factor)
和电感一样，可以定义电容的品质因数，也就是Q值，也就是电容的储存功率与损耗功率的比：
Qc=(1/ωC)/ESR
Q值对高频电容是比较重要的参数。
自谐振频率(Self-Resonance Frequency)
由于ESL的存在，与C一起构成了一个谐振电路，其谐振频率便是电容的自谐振频率。在自谐振频率前，电容的阻抗随着频率增加而变小；在自谐振频率后，电容的阻抗随着频率增加而变小，就呈现感性。
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