mos管驱动芯片,mos管驱动芯片选型-KIA MOS管
MOS管驱动电路
常用的MOS管驱动电路结构如下所示：驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。
mos管驱动芯片
MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构如下：
mos管驱动芯片选型
驱动芯片的存在主要是为了开通MOS管，为了提供MOS管开通所需要的电压，需要自举升压电路，驱动芯片的意义正是自举升压相关的一些电路。
驱动芯片简单而言就是把单片机产生的PWM波形进行放大输入到MOS管的栅极G，从而达到开通关断MOS管的目的。
下表列出了驱动芯片选型时需要关注的主要参数：
对于拉灌电流能力这一参数需要进一步解释，从等效层面上讲，MOS管的各极之间都存在寄生电容，MOS开通的过程就是对极间电容充电的过程，如图所示为MOS管极间电容的示意图，所谓灌电流就是将电流灌进G极使得MOS开通，拉电流就是将电荷从G极抽出使得MOS关断，拉灌电流的力度决定了MOS开通的程度。
MOS管极间电容示意图
对驱动芯片进行选型时， 需要格外注意将驱动芯片拉灌电流能力值与MOS管的参数相匹配，如果不匹配将会出现俗称为“带不动”的情况。
那么这一值具体应该怎么匹配呢？以IRLB4030和IR2101S为例进行计算：
这之中用到了MOS管的反向恢复电荷Qrr，IRLB4030的恢复电荷在125摄氏度时为130nC，我们取为150nC，假设电机控制PWM波的频率为10KHz，即周期为100us，假设PWM电压从零到最大值的阶跃时间为1us，那么MOS管需要的电流值为：
I=Q/T&=150nC/1us=150mA
那也就是说驱动芯片拉灌电流值应该至少达到150mA才能带的动IRLB4030，IR2101S的拉灌电流值在130mA到270mA之间，基本符合条件，因此这两款驱动芯片和MOS管的匹配使用是合理的。
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