mos管并联均流电路详解,电路图分享-KIA MOS管
mos管并联均流分析
MOS管并联方法，为了使并联电路中每个MOS管尽可能的均流，在设计并联电路时需要考虑如下要素 ：
1、饱和压降VDs或导通RDSon：对所有并联的MOS管而言，导通时其管压降是相同的，其结果必然是饱和电压小的MOS管先流过较大的电流，随着结温的升高，管压降逐渐增大，则流过管压降大的MOS管的电流又会逐渐增大，从而减轻管压降小的MOS管的工作压力。因此，从原理上讲，由于N沟道功率型MOS管的饱和压降VDs或导通电阻RDSon具有正的温度特性，是很适合并联的。
2、开启电压VGS（th）：在同一驱动脉冲作用下，开启电压VGS（th）的不同，会引起MOS管的开通时刻不同，进而会引起先开通的MOS管首先流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则对MOS管的安全工作造成威胁；
3、开通、关断延迟时间Td（on）、td（off）；开通上升、关断下降时间tr、tf：同样，在同一驱动脉冲作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也会引起MOS管的开通／关断时刻不同，进而会引起先开通／后关断的MOS管流过整个回路的电流，如果此时电流偏大，不加以限制，则同样对MOS管的安全工作造成威胁。
4、驱动极回路的驱动输入电阻、等效输入电容、等效输入电感等，均会造成引起MOS管的开通／关断时刻不同。从上所述，可以看出，只要保证无论在开通、关断、导通的过程流过MOS管的电流均使MOS管工作在安全工作区内，则MOS管的安全工作得到保障。为此，本文提出一种MOS管的新的并联方法，着重于均流方面的研究，可有效的保证MOS管工作在安全工作区内，提高并联电路的工作可靠性。
mos管并联均流电路
1.NMOS高端驱动：MOS管可以用来控制电源的上电时序，使一端从另一端获得电流。当电路中电流很大时，由于同性能的NMOS导通电阻小于PMOS，因此驱动电路一般采用NMOS，应用时需要确保栅极驱动电压高于源极电压。
2.NMOS低端驱动：NMOS用于低端驱动时，NMOS的源极接地，只要在栅极加载一定驱动电压，就可以驱动NMOS的漏极和源极导通了。
3.PMOS高端驱动：PMOS用于高端驱动时，源极接外接电源，漏极接后续负载，控制栅极电位为低电平时，PMOS导通，PMOS具有较大的导通电阻，价格比NMOS贵。不同于BJT管，MOS管具有正温度系数，温度升高时，导通阻抗会逐渐变大，如下图所示：
根据MOS管的这一特性适合并联电路中的均流，因此当电路中的电流很大时，一般会采用并联MOS的方法来进行分流。如下图所示为并联MOS管实现电流均衡电路。
如上图电路，采用MOS进行电流均流，当其中一路电流大于另一路MOS中的电流时，电流大的MOS产生的热量就会多，从而引起导通阻抗的增大，减小流过的电流。MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节，最后可实现两个MOS管之间电流的均衡。注意：两个MOS管要完全一致，散热过孔一致、布局一致、共用散热片，确保工作环境一致。
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