逆变器mos,80v场效应管,TO-263,KNB3508A参数中文资料-KIA MOS管
逆变器mos,80v场效应管,TO-263,KNB3508A参数中文资料-KIA MOS管
80v场效应管,KNB3508A参数引脚图
KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、100%雪崩测试、符合RoHS标准，稳定可靠；适用于逆变器系统的电源管理、锂电池保护板、切换应用程序，高效率低功耗，性能优越；封装形式：TO-263，散热良好。
80v场效应管,KNB3508A参数
漏源电压：80V
漏极电流：70A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：240A
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：55nC
输入电容：2900PF
输出电容：290PF
反向传输电容：175PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：51nS
上升时间：11ns
下降时间：22ns
80v场效应管,KNB3508A参数规格书
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