电机驱动mos管选型,85v120a,KCD3008A场效应管参数-KIA MOS管
85v120a,KCD3008A场效应管参数引脚图
电机驱动mos管选型要求：
最大漏-源电压（VDSS）：需高于实际工作电压峰值并预留20%-30%裕量，防止瞬态过压损坏。
最大漏极电流（ID）：根据电机最大负载电流选定，需覆盖连续模式和瞬态尖峰电流。选择低导通电阻的器件以减少损耗。
栅极驱动电压（VGS）：需高于阈值电压（VGS（th））并留有余量，确保完全导通。
NMOS管：适用于低压侧开关（如H桥下管），具有成本低、型号多、导通电阻小的优势。
PMOS管：用于高压侧开关（如H桥上管），但成本高且可选型号较少，通常需配合自举升压电路实现高压驱动。
KCD3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高效运行；封装形式：TO-252，散热良好。
85v120a,KCD3008A场效应管参数
漏源电压：85V
漏极电流：120A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
雪崩能量单脉冲：560MJ
最大功耗：85W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：65nC
输入电容：4030PF
输出电容：545PF
反向传输电容：35PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：45nS
上升时间：38ns
下降时间：20ns
85v120a,KCD3008A场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
