智能家居mos管,130a150v,KNB2915A场效应管参数资料-KIA MOS管
130a150v,KNB2915A场效应管参数引脚图
KNB2915A场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ，高效低耗；低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源）等领域；封装形式：TO-263，散热良好。
130a150v,KNB2915A场效应管参数
漏源电压：150V
漏极电流：130A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：500A
单脉冲雪崩能量：272MJ
功率耗散：428W
阈值电压：4V
总栅极电荷：70nC
输入电容：3560PF
输出电容：330PF
反向传输电容：90PF
开通延迟时间：18nS
关断延迟时间：35nS
上升时间：92ns
下降时间：70ns
130a150v,KNB2915A场效应管规格书
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