高频开关电源mos管,2a650v,2n65场效应管参数引脚图-KIA MOS管
2a650v,2n65场效应管参数引脚图
高效开关电源专用MOS管KIA2N65HD漏源击穿电压60V，漏极电流230A；采用先进的平面条纹DMOS技术，低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，低栅极电荷6.5nC，最小化导通电阻，提供卓越的开关性能；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲，坚固可靠；广泛应用于高效开关电源，基于半桥拓扑的主动功率因数校正等，实现高效率的能量转换；封装形式：TO-252。
2a650v,2n65场效应管参数
漏源电压：650V
漏极电流：2A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：7.5A
单脉冲雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：6.5nC
输入电容：275PF
输出电容：30PF
反向传输电容：2PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
2a650v,2n65场效应管参数规格书
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