充电器mos管,130a150v,KCP2915B场效应管参数资料-KIA MOS管
充电器mos管,KCP2915B参数引脚图
KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术设计，高效率低损耗；极低导通电阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极电荷，可最大限度地减少导电损失；具有100% EAS保证，坚固可靠、绿色设备可用、优质环保；广泛应用于负载开关、LED应用、网络应用、快速充电器；封装形式：TO-220。
充电器mos管,KCP2915B参数
漏源电压：150V
漏极电流：130A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：450A
单脉冲雪崩能量：784MJ
功率耗散：178W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：110nC
输入电容：5750PF
输出电容：414PF
反向传输电容：7.5PF
开通延迟时间：33nS
关断延迟时间：98nS
上升时间：26ns
下降时间：90ns
充电器mos管,KCP2915B规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
