音响功放mos管,60a250v场效应管,KNH3625A参数资料-KIA MOS管 
	
 
	60a250v场效应管,KNH3625A参数引脚图 
	KNH3625A场效应管漏源击穿电压250V,漏极电流60A,采用专有新型平面技术,极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ,低栅极电荷最小化开关损耗,性能优越;快速恢复体二极管、开关速度快,高效低耗、稳定可靠;广泛应用于DC-DC转换器、UPS DC-AC逆变器、开关电源和电机控制等;封装形式:TO-3P,散热良好。 
	
 
	60a250v场效应管,KNH3625A参数 
	  
	漏源电压:250V 
	漏极电流:60A 
	栅源电压:±20V 
	脉冲漏电流:200A 
	单脉冲雪崩能量:1250MJ 
	功率耗散:278W 
	阈值电压:2-4V
 
	总栅极电荷:78nC 
	输入电容:4020PF 
	输出电容:506PF 
	反向传输电容:254PF 
	开通延迟时间:22nS 
	关断延迟时间:68nS 
	上升时间:32ns 
	下降时间:26ns 
	60a250v场效应管,KNH3625A规格书 
	
 
	
 
	
 
	联系方式:邹先生 
	座机:0755-83888366-8022 
	手机:18123972950(微信同号) 
	QQ:2880195519 
	联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902 
	
	搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号 
	关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持 
	免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。 
	