smps电源,4a1000v,KNF43100A场效应管参数手册-KIA MOS管
4a1000v,KNF43100A参数引脚图
KNF43100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2Ω，低栅极电荷最小化开关损耗，在承受高电压和高电流方面表现出色；低反向传输电容，开关速度快，快速恢复体二极管，高效率低损耗，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应用于适配器、充电器、SMPS待机电源等；封装形式：TO-220F，散热良好。
4a1000v,KNF43100A参数
漏源电压：1000V
漏极电流：4A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：16A
单脉冲雪崩能量：450MJ
功率耗散：33W
阈值电压：3-5V
总栅极电荷：36nC
输入电容：1470PF
输出电容：155PF
反向传输电容：21PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：28nS
上升时间：23ns
下降时间：26ns
4a1000v,KNF43100A规格书
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