电子负载mos管,30v90a,3303场效应管,KNY3303C-KIA MOS管
电子负载mos管,30v90a,3303场效应管,KNY3303C-KIA MOS管
30v90a,3303场效应管参数引脚图
KNY3303C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用先进的沟槽制造工艺，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，减少导通损耗，高效低耗；低Crss、开关速度快，性能优越；100%经雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保稳定性和可靠性；适用于PWM应用、负载开关、电源管理等多种应用场景；封装形式：DFN5x6，体积小、散热良好。
30v90a,3303场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：90A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：400A
雪崩能量单脉冲：289MJ
总功耗：66W
阈值电压：1-2.2V
总栅极电荷：60nC
输入电容：3280PF
输出电容：360PF
反向传输电容：320PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：54nS
上升时间：100ns
下降时间：98ns
30v90a,3303场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
