pwm mos管应用,3306场效应管,KNB3306C参数-KIA MOS管
3306场效应管,KNB3306C参数引脚图
KNB3306C场效应管漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；低Crss、快速切换特性，实现快速切换电源，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、电源管理、负载开关中；封装形式：TO-263，体积小、散热良好。
3306场效应管,KNB3306C参数
漏源电压：68V
漏极电流：80A
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：320A
单脉冲雪崩能量：260MJ
功率耗散：125W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：92.6nC
输入电容：5850PF
输出电容：230PF
反向传输电容：210PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：48nS
上升时间：24ns
下降时间：10ns
3306场效应管,KNB3306C规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
