逆变器电源管理,150a80vmos管,KNM2808A场效应管参数-KIA MOS管
150a80vmos管,KNM2808A参数引脚图
KNM2808A场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流150A ，RDS（ON）值为4mΩ，极低RDS（ON）和优秀栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，最小化开关损耗；高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效稳定；100%雪崩测试，可靠且坚固，无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），在切换应用程序、逆变器电源管理中广泛应用；封装形式：TO-247，提高产品性能。
150a80vmos管,KNM2808A参数
漏源电压：80V
漏极电流：150A
漏源通态电阻：4mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：660A
功率耗散：178W
总栅极电荷：152nC
输入电容：6109PF
输出电容：995PF
开通延迟时间：28nS
关断延迟时间：42nS
上升时间：18ns
下降时间：54ns
150a80vmos管,KNM2808A规格书
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