dc直流转换器,320a40v,1004mos管,KCT1004M参数-KIA MOS管
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320a40v,1004mos管参数引脚图
KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超低栅极电荷，降低驱动需求，最小化开关损耗；100%经过雪崩测试，可靠坚固，在DC直流转换器、电机控制与驱动、电池管理中广泛应用；封装形式：TOLL-8，小体积、低封装电阻，提高效率。
320a40v,1004mos管参数
漏源电压：40V
漏极电流：320A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：1200A
单脉冲雪崩能量：564MJ
功率耗散：300W
阈值电压：1.2-2.5V
总栅极电荷：160nC
输入电容：9530PF
输出电容：2050PF
开通延迟时间：24nS
关断延迟时间：98nS
上升时间：15ns
下降时间：18ns
320a40v,1004mos管规格书
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