整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,KCT2213A参数-KIA MOS管
整流mos管,135v200a场效应管,toll封装,KCT2213A参数-KIA MOS管
135v200a场效应管,KCT2213A参数引脚图
KCT2213A场效应管漏源击穿电压135V，漏极电流200A ，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 2.9mΩ，低栅极电荷（151nC），最小化开关损耗，性能卓越；改进的dv/dt能力测试，高坚固性，在同步整流、电机控制、锂电池保护板中广泛应用，高效稳定；封装形式：TOLL-8，小体积、散热出色。
135v200a场效应管,KCT2213A参数
漏源电压：135V
漏极电流：200A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：880A
单脉冲雪崩能量：1156MJ
功率耗散：403W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：150nC
输入电容：10000PF
输出电容：1200PF
反向传输电容：30PF
开通延迟时间：55nS
关断延迟时间：86nS
上升时间：68ns
下降时间：38ns
135v200a场效应管,KCT2213A规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
